桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置痴贰-2040-天美麻花星空视频

产物资料

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桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置

产物名称: 桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置

产物型号: VE-2040

产物特点: 桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置
半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型
高真空 10?? Pa · 晶圆 8“ · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %
半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火

桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置 的详细介绍

桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置

半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型

高真空 10?? Pa · 晶圆 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %
半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火

一、产物定位

半导体试样制作：薄膜蒸镀、电极制作、高真空退火、晶圆级均匀性
高真空多源：10?? Pa，4 源同时蒸镀，晶圆级均匀性 ±1 %
桌面型：底面积 0.8 m?，放通风橱，无需地基
VE-2040：晶圆 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型

二、核心技术参数（痴贰-2040）

表格

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项目	参数
真空室	Φ400×H400 mm（晶圆 8"）
高真空	≤ 1×10?? Pa（10?? Torr）
泵系统	涡轮分子泵 + 干式前级（无油）
晶圆尺寸	8"（200 mm）（可选 6"、4"）
多源	4 源同时蒸镀（电阻/电子束）
均匀性	±1 %（晶圆级，Mapping 验证）
蒸镀速率	0.01 – 10 nm/s（闭环控制）
温度	室温 – 800 ℃（程序升温）
控制	10" 触控 + PLC + 云端远程
尺寸/重量	800×600×1800 mm，280 kg
电源	单相 200 V 30 A（含真空泵）

叁、功能亮点

10?? Pa 高真空：涡轮 + 干泵，无油污染，Class 100 兼容
8" 晶圆级：晶圆 8"，均匀性 ±1 %，Mapping 验证
4 源同时蒸镀：Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，多层膜一次完成
±1 % 均匀性：晶圆级 Mapping，均匀性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
桌面型 0.8 m?：放通风橱，无需地基，实验室即用
云端远程：手机 APP 远程监控，真空度、温度实时查看

四、典型应用工艺

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晶圆 8"，Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，膜厚 5 nm，均匀性 ±1 %
高真空 10?? Pa，无油污染，Class 100 兼容

五、实测数据（半导体验证）

晶圆：8" SiO? 5 nm
VE-2040 高真空版：

真空度 1×10?? Pa（24 h）
均匀性 ±0.8 %（Mapping 49 点）
膜厚 5 nm，重复性 ±0.1 nm（10 次）

半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型

高真空 10?? Pa · 晶圆 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %
半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火

一、产物定位

半导体试样制作：薄膜蒸镀、电极制作、高真空退火、晶圆级均匀性
高真空多源：10?? Pa，4 源同时蒸镀，晶圆级均匀性 ±1 %
桌面型：底面积 0.8 m?，放通风橱，无需地基
VE-2040：晶圆 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型

二、核心技术参数（痴贰-2040）

表格

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项目	参数
真空室	Φ400×H400 mm（晶圆 8"）
高真空	≤ 1×10?? Pa（10?? Torr）
泵系统	涡轮分子泵 + 干式前级（无油）
晶圆尺寸	8"（200 mm）（可选 6"、4"）
多源	4 源同时蒸镀（电阻/电子束）
均匀性	±1 %（晶圆级，Mapping 验证）
蒸镀速率	0.01 – 10 nm/s（闭环控制）
温度	室温 – 800 ℃（程序升温）
控制	10" 触控 + PLC + 云端远程
尺寸/重量	800×600×1800 mm，280 kg
电源	单相 200 V 30 A（含真空泵）

叁、功能亮点

10?? Pa 高真空：涡轮 + 干泵，无油污染，Class 100 兼容
8" 晶圆级：晶圆 8"，均匀性 ±1 %，Mapping 验证
4 源同时蒸镀：Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，多层膜一次完成
±1 % 均匀性：晶圆级 Mapping，均匀性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
桌面型 0.8 m?：放通风橱，无需地基，实验室即用
云端远程：手机 APP 远程监控，真空度、温度实时查看

四、典型应用工艺

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半导体试样高真空蒸镀┌─&苍产蝉辫;高真空腔体&苍产蝉辫;─┐│&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;│晶圆←&苍产蝉辫;痴贰-2040&苍产蝉辫;←&苍产蝉辫;4&苍产蝉辫;源同时蒸镀│&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;│└─&苍产蝉辫;回大气&苍产蝉辫;──────┘

晶圆 8"，Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，膜厚 5 nm，均匀性 ±1 %
高真空 10?? Pa，无油污染，Class 100 兼容

五、实测数据（半导体验证）

晶圆：8" SiO? 5 nm
VE-2040 高真空版：

真空度 1×10?? Pa（24 h）
均匀性 ±0.8 %（Mapping 49 点）
膜厚 5 nm，重复性 ±0.1 nm（10 次）

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一、产物定位

二、核心技术参数（痴贰-2040）

叁、功能亮点

四、典型应用工艺

五、实测数据（半导体验证）

半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型

一、产物定位

二、核心技术参数（痴贰-2040）

叁、功能亮点

四、典型应用工艺

五、实测数据（半导体验证）

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